| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBR10150CTG | 肖特基二极管 |
FIRST/福斯特 |
TO-220 |
23+ |
100000 |
|||
| MURA340BG | 快恢复二极管 |
FIRST/福斯特 |
3A400VSMB |
23+ |
300000 |
|||
| MURA2100AG | 快恢复二极管 |
FIRST/福斯特 |
2A1000VSMA |
23+ |
300000 |
|||
| MURA160MG | 快恢复二极管 |
FIRST/福斯特 |
1A600VSMA |
23+ |
300000 |
|||
| MBR(F)4045PTG | 肖特基二极管 |
FIRST/福斯特 |
40A45VTO-3P |
20+ |
300000 |
|||
| MBRS2200AG | 二极管 |
FIRST/福斯特 |
2A200VSMA |
23+ |
300000 |
|||
| MBR(F)60100CTG | 肖特基二极管 |
FIRST/福斯特 |
60A100VTO-220TO-2 |
20+ |
300000 |
|||
| MURA220AG | 快恢复二极管 |
FIRST/福斯特 |
2A200VSMA |
20+ |
300000 |
|||
| MBR(F)20L150ACTG | 肖特基二极管 |
FIRST/福斯特 |
20A150VTO-220TO-2 |
20+ |
300000 |
|||
| FDJ20065ACG | 其他被动件 |
福斯特半导体 |
TO220-2L |
23+ |
1 |
|||
| FDM50R120AN4 | 其他被动件 |
福斯特半导体 |
TO247-4L |
23+ |
1 |
|||
| FDJ06065ACG | 其他被动件 |
福斯特半导体 |
TO220-2L |
23+ |
1 |
|||
| FDM80R120AN4 | 其他被动件 |
福斯特半导体 |
TO247-4L |
23+ |
1 |
|||
| MUR860ACG | 快恢复二极管 |
FIRST/福斯特 |
TO-220 |
23+ |
1000 |
|||
| MURF1040ACTG | 超快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
TO-220F |
23+ |
30 |
|||
| SR5200 66mil | 插件二极管 |
FIRST/福斯特 |
DO-27 |
23+ |
10000 |
|||
| FIR11NS70APG | MOS(场效应管) |
福斯特半导体 |
TO-220 |
20+ |
100 |
|||
| FIR14NS65AFG(TO-220F) | 中高压MOS管 |
福斯特半导体 |
TO-220F |
23+ |
100 |
|||
| MURS360CG | 快恢复二极管 |
FS福斯特 |
SMC |
23+ |
300000 |
|||
| MBRS360BG | 二极管 |
福斯特半导体 |
SMB |
23+ |
20000 |
|||
| MURS320BG | 快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
SMB |
23+ |
20000 |
|||
| MBRS340BG | 二极管 |
福斯特半导体 |
SMB |
23+ |
20000 |
|||
| MURF840ACG | 超快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
8A400VTO-220220F |
23+ |
20000 |
|||
| FIR50N06LG | MOS(场效应管) |
福斯特半导体 |
50A60VTO-252 |
20+ |
20000 |
|||
| MURS120MG | 快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
1A200VSOD-12342mil |
23+ |
20000 |
|||
| MBR340ANG | 插件二极管 |
福斯特半导体 |
DO-201 |
23+ |
27500 |
|||
| FIR4N70LG | MOS(场效应管) |
福斯特半导体 |
4A700VTO-252 |
20+ |
20000 |
|||
| FIR10N20LG | MOS(场效应管) |
福斯特半导体 |
10A200VTO-252 |
20+ |
50000 |
|||
| MUR460NG | 快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
4A600VDO-201 |
23+ |
20000 |
|||
| MBRF20150CTG | 肖特基二极管 |
福斯特半导体 |
TO-220F |
23+ |
20000 |