| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MURS160AG | 快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
1A600VSMA42mil |
23+ |
20000 |
|||
| MURS260AFG | 快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
SMAF |
23+ |
20000 |
|||
| MURS220BG | 快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
SMB |
23+ |
20000 |
|||
| FIR4N90P/FG | MOS(场效应管) |
福斯特半导体 |
4A900VTO-220F |
20+ |
10 |
|||
| MURS340BG | 快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
SMB |
23+ |
20000 |
|||
| FIR7N60AFG | MOS(场效应管) |
福斯特半导体 |
7A600VTO-220F |
20+ |
20000 |
|||
| MBR10L100ACTG |
|
肖特基二极管 |
福斯特半导体 |
10A100VTO-220 |
20+ |
20000 |
||
| FIR2N60ALG | MOS(场效应管) |
福斯特半导体 |
2A600VTO-252 |
20+ |
100000 |
|||
| MURA160AFG | 快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
1A600VSMAF42mil |
23+ |
20000 |
|||
| FFM107AG | 快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
1A1000VSMAD(DO-214AC |
23+ |
20000 |
|||
| FDJ20120AN2G | 其他被动件 |
福斯特半导体 |
TO247-2L |
23+ |
1 |
|||
| FIR30N65AN3G | 其他被动件 |
福斯特半导体 |
TO247-3L |
23+ |
1 |
|||
| FDJ10065ACG | 其他被动件 |
福斯特半导体 |
TO220-2L |
23+ |
1 |
|||
| KBL806CG |
|
桥堆 |
福斯特半导体 |
KBL |
23+ |
20 |
||
| FIR7NS65AFG(TO-220F) | MOS(场效应管) |
福斯特半导体 |
TO-220F |
23+ |
160000 |
|||
| FIR11NS65AFG(TO-220F) | MOS(场效应管) |
福斯特半导体 |
TO-220F |
23+ |
100000 |
|||
| FIR11NS70ARG | MOS(场效应管) |
福斯特半导体 |
TO-263 |
20+ |
100 |
|||
| MUR420NG | 快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
DO-201 |
23+ |
300000 |
|||
| MUR440NG | 快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
DO-201 |
23+ |
300000 |
|||
| MUR3040PTG | 超快恢复二极管 |
福斯特半导体 |
TO-3P |
23+ |
30 |
|||
| MB10FGG | 桥堆 |
福斯特半导体 |
MBF |
20+ |
300000 |
|||
| MURS320CG | 快恢复二极管 |
FS/福斯特 |
SMC |
23+ |
300000 |
|||
| FIR4N65LG | 中高压MOS管 |
福斯特半导体 |
4A600VTO-252 |
23+ |
100000 |
|||
| MBR(F)3060ACTG | 肖特基二极管 |
FIRST/福斯特 |
30A45VTO-220TO-22 |
20+ |
300000 |
|||
| FIR10N80F | MOS(场效应管) |
FIRST/福斯特 |
9A800VTO-220F |
23+ |
10000 |
|||
| MBRD1045LG | 肖特基二极管 |
FIRST/福斯特 |
10A45VTO-252 |
23+ |
300000 |
|||
| MBRS5200CG | 二极管 |
FIRST/福斯特 |
5A200VSMC |
23+ |
300000 |
|||
| MBRS260AG | 二极管 |
FIRST/福斯特 |
2A60VSMA |
23+ |
300000 |
|||
| MURS240BG | 快恢复二极管 |
FIRST/福斯特 |
SMB |
23+ |
300000 |
|||
| MURA340CG | 快恢复二极管 |
FIRST/福斯特 |
3A200VSMC |
23+ |
300000 |